外尔半金属 GdPtBi 中的平面霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2018-07-27 v2 材料科学
摘要
在凝聚态系统中观测到外尔和狄拉克费米子是最重要的发现之一。在通过电输运表征外尔半金属的极少数可用工具中，负磁阻最为常用。考虑到该方法的不足，亟需新的工具来表征外尔半金属中的手性反常。我们采用平面霍尔效应作为半霍伊斯勒外尔半金属 GdPtBi 中研究手性反常的有效技术。该化合物在 2 K 和 9 T 下表现出 1.5 mohm cm 的大平面霍尔电阻率。我们的分析表明，观测到的振幅主要由贝里曲率和手性反常贡献主导。通过角度依赖的输运研究，我们确定轨道磁阻相对较小的 GdPtBi 是观测大平面霍尔效应的理想候选材料。
引用
@article{arxiv.1711.04133,
title = {Planar Hall effect in the Weyl semimetal GdPtBi},
author = {Nitesh Kumar and Satya N. Guin and Claudia Felser and Chandra Shekhar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.04133},
year = {2018}
}
备注
Updated texts