II 型外尔半金属 MoTe2 中平面霍尔效应的起源
材料科学
2019-05-20 v1
摘要
除负纵向磁电阻（MR）外，平面霍尔效应（PHE）是检验外尔半金属（WSMs）中手性异常或非平凡贝里曲率的新兴实验手段。然而，不同体系中 PHE 的起源尚未被完全区分和理解。本文对 II 型 WSM Td-MoTe2 的 PHE 与各向异性 MR（AMR）进行了系统研究。尽管 PHE 与 AMR 曲线可被理论公式很好地拟合，我们证明各向异性电阻源于轨道 MR（OMR），而非手性异常效应所预期的负 MR。相反，负 MR 的缺失表明大的 OMR 主导了手性异常效应。这解释了为何在 II 型 WSMs 中难以测量负 MR。我们认为，所测得的 PHE 仅当同时观测到负 MR 时，才可与手性异常相关联。
引用
@article{arxiv.1809.01290,
title = {Origin of planar Hall effect in type-II Weyl semimetal MoTe2},
author = {D. D. Liang and Y. J. Wang and W. L. Zhen and J. Yang and S. R. Weng and X. Yan and Y. Y. Han and W. Tong and L. Pi and W. K. Zhu and C. J. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.01290},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 4 figures