非均匀Weyl半金属中手性依赖的平面霍尔效应
强关联电子
2020-09-23 v2
摘要
平面霍尔效应(planar Hall effect, PHE)指在共面电场()与磁场()存在时出现的面内横向电压,在常规Weyl半金属(WSMs)中作为手性反常的基本表现之一而发生。因此一个主要问题是:是否存在不借助手性反常而实现PHE的其他途径。我们证明,即便在无上述反常时,PHE也存在于非均匀Weyl半金属(inhomogeneous Weyl semimetal, IWSM)中。利用半经典Boltzmann输运理论,我们表明IWSM中的PHE由应变诱导的手性规范势引起,该势以相反符号耦合到相反手性的Weyl费米子。我们的研究显示出相反手性Weyl节点所关联电流中的 resultant 相移,其显著地在IWSM中导致有限的手性依赖平面霍尔效应(chirality-dependent planar Hall effect, CPHE)。有趣的是,我们表明Weyl节点的微小倾斜即便在无外加磁场时也能产生纯CPHE。CPHE在“chiralitytronics”中具有重大意义。我们还讨论了这些I型IWSM中应变新奇效应的实验可行性。
引用
@article{arxiv.1911.01130,
title = {Chirality-dependent planar Hall effect in inhomogeneous Weyl semimetals},
author = {Suvendu Ghosh and Debabrata Sinha and Snehasish Nandy and A. Taraphder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.01130},
year = {2020}
}
备注
6pages, Physical Review B Rapid Communication Accepted Version