Trigonal PtBi$_2$高阶平面霍尔效应的研究

Fangqi Cai; Mingxi Chi; Yingjie Hu; Heyao Liu; Yangyang Chen; Chao Jing; Wei Ren; He Wang

doi:10.1063/5.0258340

Trigonal PtBi$_2$高阶平面霍尔效应的研究

材料科学 2025-07-22 v1

作者: Fangqi Cai , Mingxi Chi , Yingjie Hu , Heyao Liu , Yangyang Chen , Chao Jing , Wei Ren , He Wang

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摘要

三角PtBi $_2$ (t-PtBi $_2$ )作为一种范德波尔半导体,其电子能带接近费米能级处具备三重简并点,赋予其丰富的电子性质。先前研究已测量了t-PtBi $_2$ 的平面霍尔效应(PHE)和面内各向异性磁阻(AMR)。我们注意到其实验结果在PHE和AMR中表现出高阶特征,但这些特征尚未系统性探讨。本文对t-PtBi $_2$ 的PHE和AMR进行更系统的测量与分析。两种效应在低温和强磁场下均显示出高阶特征,且这些特征的温度和磁场依赖性与电阻和温度曲线的开启行为相吻合,表明它们具有相同的物理本源。我们进一步总结了t-PtBi $_2$ 高阶PHE出现的关键条件,以帮助理解其高阶特征的起源。此外,我们对t-PtBi $_2$ 的AMR进行了计算模拟,结果与实验一致,表明高阶特征源于费米面各向异性与磁阻缩放行为的共同贡献。我们的发现将深化对非磁性拓扑材料高阶特征起源的理解。

关键词

平面霍尔效应 PtBi$_2$ 高阶特征磁阻费米面各向异性

引用

@article{arxiv.2507.14580,
  title  = {Investigation on high-order planar Hall effect in trigonal PtBi$_2$},
  author = {Fangqi Cai and Mingxi Chi and Yingjie Hu and Heyao Liu and Yangyang Chen and Chao Jing and Wei Ren and He Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2507.14580},
  year   = {2025}
}

备注

18 pages, 4 figures,

Trigonal PtBi$_2$高阶平面霍尔效应的研究

摘要

关键词

引用

备注

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