高分辨率角度分辨光谱学中的 t-PtBi$_2$ 费米弧曲谱
介观与纳米尺度物理
2025-03-13 v1 超导电性
摘要
我们利用高分辨率角度分辨光谱学（ARPES）和密度泛函理论（DFT）来探究正三角相 PtBi（t-PtBi）的电子结构，这是一种预期表现出拓扑费米弧的 Weyl 半导体。我们的 ARPES 数据阐明了这些对象的曲面，并确认其费米弧特性。这些弧形由具有相当平坦底部的表面带构成，费米能级附近位于化学势附近 6-8 meV，然后在更高的结合能处与体带合并。在与 DFT 计算结果的比较中，我们发现关于其位置和曲面情况具有良好的一致性。在低温下的数据并未显示出任何超导性迹象，至少降至 3 K，以预期在能量分布曲线中因 Bogoliubov 准粒子或超导隧穿 gap 的形成而引起的位移变化为特征。
引用
@article{arxiv.2503.08841,
title = {Topography of Fermi Arcs in t-PtBi$_2$ Using High Resolution Angle-resolved Photoemission Spectroscopy},
author = {Evan O'Leary and Zhuoqi Li and Lin-Lin Wang and Benjamin Schrunk and Andrew Eaton and Paul C. Canfield and Adam Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.08841},
year = {2025}
}