角分辨光电子能谱观测到的 BaNi$_2$P$_2$ 电子结构
超导电性
2015-08-06 v2
摘要
我们对 BaNiP 进行了角分辨光电子能谱 (ARPES) 研究，该材料在 2.5 K 处表现出超导转变。我们分别在布里渊区中心和角落附近观测到了空穴型和电子型费米面 (FSs)，且空穴型费米面的形状随光子能量发生剧烈变化，表明其具有强烈的三维特性。观测到的费米面与能带结构计算及 de Haas-van Alphen 测量结果一致。在正常态下估算的质量增强因子为 / 2，表明与典型的铁基 pnictide 超导体相比，其电子关联较弱。与 BaNiAs 不同，我们在 Z 点附近观测到了一个类电子费米面，这可能与 BaNiP 较高的 有关。
引用
@article{arxiv.1401.7897,
title = {Electronic structure of BaNi$_2$P$_2$ observed by angle-resolved photoemission spectroscopy},
author = {S. Ideta and T. Yoshida and M. Nakajima and W. Malaeb and H. Kito and H. Eisaki and A. Iyo and Y. Tomioka and T. Ito and K. Kihou and C. H. Lee and Y. Kotani and K. Ono and S. K. Mo and Z. Hussain and Z. -X. Shen and H. Harima and S. Uchida and A. Fujimori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7897},
year = {2015}
}
备注
6 figures