利用角分辨光电子能谱研究BaFe2As2的电子结构
超导电性
2015-05-13 v1 强关联电子
摘要
我们报道了利用高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES）对BaFeAs电子结构的研究，BaFeAs是铁基砷化物超导体的母体化合物之一。ARPES测量分别在20 K和300 K下进行，分别对应正交反铁磁相和四方顺磁相。使用了30至175 eV的光子能量以及平行和垂直于散射平面的偏振。费米面的测量结果显示，在Γ点有两个空穴口袋，在每个X点有一个电子口袋。口袋的拓扑结构是根据谱权重随束缚能的变化得出的。入射光子偏振变化时费米能级处谱权重的变化，提供了费米能级附近态轨道特性的重要信息。在20 K和300 K之间未分辨出电子结构的差异。结果与四方顺磁相的密度泛函理论能带结构计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.0903.0967,
title = {Electronic structure studies of BaFe2As2 by angle-resolved photoemission spectroscopy},
author = {J. Fink and S. Thirupathaiah and R. Ovsyannikov and H. A. Duerr and R. Follath and Y. Huang and S. de Jong and M. S. Golden and Yu-Zhong Zhang and H. O. Jeschke and R. Valenti and C. Felser and S. Dastjani Farahani and M. Rotter and D. Johrendt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.0967},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 5 figures