WTe2中体电子结构的三维性
材料科学
2017-05-24 v1
摘要
我们利用温度和磁场依赖的电阻测量[Shubnikov-de Haas (SdH) 量子振荡]以及超高分辨率、可调真空紫外 (VUV) 激光角分辨光电子能谱 (ARPES)，研究 II 型 Weyl 半金属 WTe2 中体电子结构的三维性 (3D)。使用 6.7 eV 入射光子能量检测到沿 X-Gamma-X 方向的体费米面 (FS) 由两对电子袋和两对空穴袋组成，这与先前报道的数据一致。然而，若使用 6.36 eV 入射光子能量，则在 Gamma 点两侧检测到另一对微小电子袋，这与磁电阻中观察到的小量子振荡频率峰相符。因此，体三维 FS 总共由三对电子袋和两对空穴袋组成。凭借精细调节入射光子能量的能力，我们证明了 WTe2 中体电子结构的强三维性。电阻与 ARPES 测量的结合揭示了该材料体电子结构的完整且自洽的图像。
引用
@article{arxiv.1701.06667,
title = {Three-dimensionality of the bulk electronic structure in WTe2},
author = {Yun Wu and Na Hyun Jo and Daixiang Mou and Lunan Huang and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield and Adam Kaminski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06667},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 3 figures