Shubnikov-de Haas 振荡揭示 WTe2 中的多个费米口袋
材料科学
2015-11-30 v1 强关联电子
摘要
我们利用磁输运测量研究了 WTe2 单晶的电子结构。在 2.5 至 200 K 的温度范围和高达 8 T 的磁场下，观察到了非饱和且呈抛物线形的磁电阻。观测到具有拍频图案的 Shubnikov-de Haas 振荡。对 SdH 振荡的快速傅里叶变换揭示了三个振荡频率，对应于三对具有相当有效质量（m* ~ 0.31 me）的费米口袋。通过拟合霍尔电阻率，我们推断存在一对电子口袋和两对空穴口袋，并且电子 - 空穴载流子浓度近乎完美补偿。这些磁输运测量揭示了 WTe2 中复杂的电子结构，解释了非饱和磁电阻现象。
引用
@article{arxiv.1504.01460,
title = {Multiple Fermi pockets revealed by Shubnikov-de Haas oscillations in WTe2},
author = {Fei-Xiang Xiang and Menno Veldhorst and Shi-Xue Dou and Xiao-Lin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01460},
year = {2015}
}
备注
Submitted to journal on 1 April, 2015, 4 Figures