中心对称 NbAs2 半金属中观测到的费米面拓扑与负纵向磁电阻
强关联电子
2016-05-10 v2
摘要
我们报道了 NbAs2 单晶的横向与纵向磁输运性质。归因于电子-空穴补偿，非饱和的大横向磁电阻在 9 T、1.8 K 下达到 8000，迁移率约为 1 至 2 m^2V^-1S^-1。我们给出了 NbAs2 的角度依赖舒布尼科夫-德哈斯（Shubnikov-de Haas, SdH）量子振荡的详尽研究。识别出三个不同的振荡频率。第一性原理计算揭示了四类费米口袋：电子 alpha 口袋、空穴 beta 口袋、空穴 gamma 口袋以及小电子 delta 口袋。尽管 alpha、beta 和 delta 的角度依赖与 SdH 数据吻合良好，但为何 gamma 口袋在 SdH 中缺失尚不清楚。观测到了负纵向磁电阻，其可能与该材料中的新颖拓扑态有关，尽管需系统研究以确定其起源。
引用
@article{arxiv.1602.01795,
title = {Fermi surface topology and negative longitudinal magnetoresistance observed in centrosymmetric NbAs2 semimetal},
author = {Bing Shen and Xiaoyu Deng and Gabriel Kotliar and Ni Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01795},
year = {2016}
}
备注
5 pages. Some content from the previous version has been removed so that the paper is more focused on SdH quantum oscillations and negative longitudinal magentoresistance