BaZnBi$_2$ 的磁输运与电子结构
材料科学
2017-12-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了 BaZnBi 的磁输运性质和电子结构。BaZnBi 是一种具有金属性的准二维（2D）材料。横向磁阻（MR）随磁场线性变化，并在低温和高场下表现出 Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。观测到的线性 MR 可能源于样品中的无序或补偿双组分系统中的边缘电导。第一性原理计算表明不存在稳定的无能隙 Dirac 费米子。结合从 SdH 振荡中提取的平庸 Berry 相，表明 BaZnBi 是一种拓扑平庸的半金属。BaZnBi 中共存着近补偿的类电子费米面（FSs）和类空穴费米面。
引用
@article{arxiv.1708.06531,
title = {Magneto-transport and Electronic Structures of BaZnBi$_2$},
author = {Yi-Yan Wang and Peng-Jie Guo and Qiao-He Yu and Sheng Xu and Kai Liu and Tian-Long Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.06531},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 6 figures