YSb 中的磁电阻与 Shubnikov-de Haas 振荡

生长了 YSb 晶体并测量了磁场下的输运性质。电阻率在零磁场下表现出金属性行为，一旦施加中等磁场，低温电阻率出现明显的回升。该回升随磁场增大而极大增强，最终导致类金属-绝缘体转变。随着温度进一步降低，在类绝缘体区域后出现电阻率平台。在低温（2.5 K）和高场（14 T）下，横向磁电阻（MR）非常大（3.47 $\times 10^4\%$）。此外，在 YSb 中还观察到了 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡。振荡周期的周期性行为揭示了费米面的相关信息，并且可从振荡的 FFT 谱中获得两个主要振荡频率。从 SdH 振荡提取的平庸 Berry 相位、角分辨光电子能谱（ARPES）揭示的能带结构以及第一性原理计算表明，YSb 是一种拓扑平庸材料。