CeNiSn中的电阻率、霍尔效应和Shubnikov-de Haas振荡

在温度下探至35 mK，磁场升至20 T（电流沿b轴）条件下测量了CeNiSn的电阻率和霍尔效应。零场电阻率显示在约0.16 K以下具有平方温度依赖，$T^2$项系数巨大（54 $\mu$$\Omega$cm/K$^2$）。电阻随场变化呈现异常最大值和凹陷，其位置随场方向变化。在ac面和bc面上不同场方向范围内观察到频率为约100 T的Shubnikov-de Haas (SdH)振荡，确定准粒子质量为约10-20 {\it m}$_e$。载流子密度估计为约$10^{-3}$个电子/Ce。在ac面的窄场方向范围内（磁阻-凹陷异常在此场向外更为明显），在异常以上高场发现更高频率（$F=300\sim400\text{T}$）的SdH振荡。此观察可用于讨论电子结构在场引起的可能变化。