直流偏置下单层石墨烯的舒布尼科夫-德哈斯振荡
介观与纳米尺度物理
2015-03-19 v2
摘要
在单层石墨烯的霍尔条样品上实验研究了直流偏置下的舒布尼科夫-德哈斯（SdH）振荡。在直流电阻中，偏置电流对SdH振荡表现出常见的阻尼效应，该效应可以通过升高的电子温度很好地解释，而电子温度被发现与电流偏置呈线性关系。在微分电阻中，随着直流偏置的增加，观察到SdH振荡的一种新颖的相位反转，即振荡极大值变为极小值，反之亦然。此外，发现SdH极值即将反转的起始偏置电流与SdH极值的磁场呈线性关系。这些观察结果借助一个通用的SdH公式得到了定量解释。
引用
@article{arxiv.1104.3678,
title = {Shubnikov-de Haas oscillations of a single layer graphene under dc current bias},
author = {Zhenbing Tan and ChangLing Tan and Li Ma and G. T. Liu and L. Lu and C. L. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3678},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures, A few references added