拓扑绝缘体 Bi$_2$Te$_2$Se 中的强场 Shubnikov-de Haas 振荡
介观与纳米尺度物理
2012-07-18 v3
摘要
我们报告了对拓扑绝缘体 BiTeSe 晶体表面 Shubnikov-de Haas 振荡 (SdH) 的测量。在具有大块体电阻率（4 K 时约 4 cm）的晶体中，我们在高达 45 特斯拉的磁场 中观察到约 15 次表面 SdH 振荡（至 = 1 朗道能级）。外推至极限 ，我们确认了狄拉克谱预期的 -位移。结果与非常小的表面朗德 -因子一致。
引用
@article{arxiv.1111.6031,
title = {High-Field Shubnikov-de Haas Oscillations in the Topological Insulator Bi$_2$Te$_2$Se},
author = {Jun Xiong and Yongkang Luo and YueHaw Khoo and Shuang Jia and R. J. Cava and N. P. Ong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6031},
year = {2012}
}
备注
Text expanded, slight changes in text, final version; Total 6 pages, 6 figures