大体电阻率(6 Ωcm)拓扑绝缘体Bi$_2$Te$_2$Se中的量子振荡
介观与纳米尺度物理
2015-03-17 v1 强关联电子
摘要
我们报告了在具有大体电阻率（4 K时为6 Ωcm）的拓扑绝缘体BiTeSe中观察到显著的Shubnikov-de Haas振荡。通过拟合SdH振荡，我们推断出大的金属性参数 = 41，表面迁移率（ 2,800 cm/Vs）远大于体迁移率（ 50 cm/Vs）。指数场与填充因子的关系图显示出1/2的偏移，与无质量狄拉克态一致。在11 T的磁场中观察到了分数填充态的证据。
引用
@article{arxiv.1101.1315,
title = {Quantum Oscillations in a Topological Insulator Bi$_2$Te$_2$Se with Large Bulk Resistivity (6 $\Omega$cm)},
author = {Jun Xiong and A. C. Petersen and Dongxia Qu and R. J. Cava and N. P. Ong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.1315},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures