体晶体 Sn 掺杂 Bi1.1Sb0.9Te2S 中表面电子的振荡平面霍尔响应
介观与纳米尺度物理
2018-04-13 v1
摘要
我们报道了拓扑绝缘体 Sn 掺杂 Bi1.1Sb0.9Te2S 的体绝缘单晶中的低温磁输运。Shubnikov-de Haas 振荡出现，其倒频率与 cos/theta 成正比，表明拓扑表面态的主导输运。当磁场在样品表面内旋转时，平面霍尔效应随之出现，并伴随遵循 cos/theta sin/theta 关系的显著振荡。其振幅在最低温度下达到最大，并在温度高于 100 K 时降至近乎为零。所有这些证据确立了此类平面霍尔振荡作为拓扑表面输运的一个新的黄金判据。
引用
@article{arxiv.1804.04313,
title = {Oscillating planar Hall response from the surface electrons in bulk crystal Sn doped Bi1.1Sb0.9Te2S},
author = {Bin Wu and Xing-Chen Pan and Wenkai Wu and Fucong Fei and Bo Chen and Qianqian Liu and Haijun Bu and Lu Cao and Fengqi Song and Baigeng Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04313},
year = {2018}
}