NbAs2与TaAs2中的电阻率平台及极大磁电阻
材料科学
2016-07-13 v1
摘要
在拓扑绝缘体（TIs）中，金属表面电导随温度降低饱和了绝缘体块体电阻，导致低温下的电阻率平台，这是受时间反演对称性（TRS）保护的金属表面模式的输运特征。此类特征已在包括Bi2Te2Se、SmB6等若干材料中发现。最近，在金属化合物LaSb中观察到类似行为，并伴随极大磁电阻（XMR）。低温下的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡进一步证实了平台区域在磁场下的金属性行为。LaSb[1]被作者提议为一种可能的拓扑半金属（TSM），而目前缺乏负磁电阻。本文生长了具有反演对称性的高质量NbAs2/TaAs2单晶，并系统研究了磁场下的电阻率。两者在零磁场下均呈现金属性行为，当施加非零磁场时发生金属-绝缘体转变，导致XMR（在2.5 K & 14 T下，NbAs2为1.0*105%，TaAs2为7.3*105%）。随着温度降低，在类绝缘体区之后出现电阻率平台，并且在NbAs2和TaAs2中也观察到了SdH振荡。
引用
@article{arxiv.1601.04239,
title = {Resistivity plateau and extremely large magnetoresistance in NbAs2 and TaAs2},
author = {Yi-Yan Wang and Qiao-He Yu and Tian-Long Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04239},
year = {2016}
}
备注
5 pages, double column, 5figures