MoAs$_2$中的磁阻与鲁棒电阻率平台
材料科学
2017-11-28 v2
摘要
我们生长了结晶于 C2/m 空间群单斜结构的 MoAs单晶。输运测量显示，MoAs在零场下呈现金属行为，当外加磁场超过 5 T 时，在低温下经历金属到半导体的交叉。在低于 18 K 的温度下出现鲁棒的电阻率平台，并持续至 9 T 的磁场。当磁场垂直于电流方向时，观察到巨大的正磁阻 (MR)，在 2 K 和 9 T 下达到约 2600\%。当磁场旋转至与电流平行时，MR 在 40 K 以下变为负值。霍尔电阻率在 70 K 以下显示出非线性的磁场依赖性。利用双带模型的分析表明，低温下存在补偿的电子 - 空穴载流子密度。科勒规则 (Kohler's rule) 的破坏、霍尔数据中的异常下降及交叉点暗示，MoAs在 30 K 至 60 K 之间可能发生了利夫希茨相变 (Lifshitz transition)，这可能是驱动补偿电子 - 空穴密度、巨大磁阻以及金属 - 半导体转变的原因。我们的结果表明，中心对称过渡金属双磷族化合物家族具有丰富的输运行为，通常可表现出可变的金属性和拓扑特征。
引用
@article{arxiv.1610.08594,
title = {Magnetoresistance and robust resistivity plateau in MoAs2},
author = {Jialu Wang and Lin Li and Wei You and Tingting Wang and Chao Cao and Jianhui Dai and Yuke Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.08594},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 6 figures