补偿半金属TaAs$_2$和NbAs$_2$中的大磁电阻
材料科学
2016-05-18 v1
摘要
我们报道了单晶非磁性化合物TaAs和NbAs在低温下的巨大磁电阻（MR）。两种化合物在9特斯拉、2 K的磁场中均表现出大于 的抛物线场依赖MR。对于TaAs，在4.2 K时，MR在10 T以上开始偏离抛物线依赖，并倾向于在45 T饱和。霍尔电阻测量和能带结构计算揭示了它们的补偿半金属特性。低温下的大MR归因于具有大迁移率的平衡电子和空穴的共振效应。我们还讨论了TaAs和其他半金属的MR与样品质量的关系。我们发现不同化合物的MR大小强烈依赖于样品质量。
引用
@article{arxiv.1601.06482,
title = {Large Magnetoresistance in Compensated Semimetals TaAs$_2$ and NbAs$_2$},
author = {Zhujun Yuan and Hong Lu and Yongjie Liu and Junfeng Wang and Shuang Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.06482},
year = {2016}
}
备注
26 pages, 11 figures, 2 tables