GaAs/AlGaAs 异质界面二维电子系统中的巨大非饱和线性磁阻
介观与纳米尺度物理
2012-08-28 v2
摘要
设计具有大磁场电响应的器件对于磁场传感和磁读头等一系列应用至关重要。我们表明，在强绝缘机制下， hosted 于 GaAs/AlGaAs 异质结构中的二维电子系统会出现巨大的非饱和线性磁阻 (NLMR)。当在高源漏偏压下工作时，我们器件的磁阻随磁场几乎线性增加，在 8 Tesla 时达到近 10,000%，从而超越了许多表现出巨大 NLMR 的已知非磁性材料。温度依赖性和迁移率分析表明，NLMR 具有纯粹的经典起源，由纳米尺度不均匀性驱动。巨大的 NLMR 结合微小的器件尺寸，使这些系统成为片上磁场传感的新且有吸引力的候选者。
引用
@article{arxiv.1207.5709,
title = {Colossal non-saturating linear magnetoresistance in two-dimensional electron systems at a GaAs/AlGaAs heterointerface},
author = {M. A. Aamir and Srijit Goswami and Matthias Baenninger and Vikram Tripathi and Michael Pepper and Ian Farrer and David A. Ritchie and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.5709},
year = {2012}
}
备注
Main text contains 5 pages, 4 figures; supplementary information is included