(Ga,Mn)As 纳米缩颈中巨大的隧穿各向异性磁电阻
强关联电子
2008-09-03 v2 材料科学
摘要
我们报道了单个横向 (Ga,Mn)As 纳米缩颈中高达 1300% 的巨大各向异性磁电阻 (AMR) 行为，以及大幅的多稳态电报开关现象。这些纳米缩颈器件是通过对 5 nm 厚的 (Ga,Mn)As 外延层进行高分辨率电子束光刻制备的。我们在现有增强型 AMR 铁磁半导体纳米器件理论的背景下讨论了这些器件表现出的异常行为，特别是关于其对体材料磁输运的依赖性。我们得出结论，我们的结果与库仑阻塞 AMR 机制最为一致。
引用
@article{arxiv.0803.3416,
title = {Huge tunnelling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As nanoconstrictions},
author = {A. D. Giddings and O. N. Makarovsky and M. N. Khalid and S. Yasin and K. W. Edmonds and R. P. Campion and J. Wunderlich and T. Jungwirth and D. A. Williams and B. L. Gallagher and C. T. Foxon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3416},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 5 figures