铁磁单电子器件中的各向异性磁库仑效应与自旋积累的对比
介观与纳米尺度物理
2013-01-18 v2
摘要
我们研究了纳米自旋电子学单电子器件的磁输运特性。这些器件由连接到 Co 铁磁电极的单个非磁性纳米物体（纳米尺寸的 Al 或 Cu 纳米颗粒）组成。通过与模拟结果进行比较，我们能够将观察到的磁阻归因于自旋积累或各向异性磁库仑效应（AMC），这两种效应的起源截然不同。在相似的样品中观察到这两种效应这一事实表明，为了在磁性单电子器件中区分它们，有必要对库仑阻塞和磁阻行为进行仔细分析。作为进一步研究的工具，我们提出了一种简单的方法，通过自旋电子学器件的库仑阻塞 I-V 曲线来确定是自旋输运还是 AMC 效应占主导地位。
引用
@article{arxiv.1111.5430,
title = {Anisotropic magneto-Coulomb effect versus spin accumulation in a ferromagnetic single-electron device},
author = {A. Bernand-Mantel and P. Seneor and K. Bouzehouane and S. Fusil and C. Deranlot and F. Petroff and A. Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5430},
year = {2013}
}