拓扑绝缘体表面的单原子各向异性磁电阻
介观与纳米尺度物理
2015-03-17 v2 材料科学
摘要
我们展示了拓扑绝缘体表面的单原子各向异性磁电阻，该现象源于螺旋自旋 - 动量锁定表面电子结构与磁性吸附原子态杂化之间的相互作用。我们基于密度泛函理论对 BiSe上 Mn 的第一性原理量子输运计算阐明了其 underlying 机制。我们用适用于单吸附原子和磁性团簇的二维模型补充了我们的发现，并提出了一种用于实验实现的器件装置方案。我们的结果解释了关于拓扑绝缘体表面磁性吸附原子的相互矛盾的散射实验，并揭示了磁性杂质周围的实空间自旋织构。
引用
@article{arxiv.1405.2651,
title = {Single atom anisotropic magnetoresistance on a topological insulator surface},
author = {Awadhesh Narayan and Ivan Rungger and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2651},
year = {2015}
}
备注
Updated text, published version