基于GaMnAs的单杂质隧道二极管中的各向异性磁电阻：紧束缚方法
介观与纳米尺度物理
2016-06-27 v1
摘要
利用先进的紧束缚方法，我们估算了与单个Mn原子（在GaAs中形成受主态并位于AlGaAs隧道势垒附近）的5/2自旋旋转相关的隧道传输各向异性。在面内和面外几何构型中均发现了显著的各向异性，这源于与p-d交换相互作用相关的大自旋-轨道耦合、重空穴色散的立方各向异性以及化学键的低C2v对称性的共同作用。
引用
@article{arxiv.1201.1439,
title = {Anisotropic magneto-resistance in a GaMnAs-based single impurity tunnel diode: a tight binding approach},
author = {M. O. Nestoklon and O. Krebs and H. Jaffrès and S. Ruttala and J. -M. George and J. -M. Jancu and P. Voisin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.1439},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 3 figures