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Fe/GaAs/Au 隧道结中的隧穿各向异性磁电阻与自旋轨道耦合

介观与纳米尺度物理 2009-11-11 v1 材料科学

作者: J. Moser , A. Matos-Abiague , D. Schuh , W. Wegscheider , J. Fabian , D. Weiss

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摘要

我们报道了在外延金属-半导体系统 Fe/GaAs/Au 中观察到隧穿各向异性磁电阻效应（TAMR）。观察到的电阻的二重各向异性可以通过反转偏压来切换，这表明该效应源于界面处自旋轨道耦合的干涉。相应的模型计算很好地再现了实验结果。

关键词

隧穿各向异性磁电阻自旋轨道耦合隧道结 Fe/GaAs/Au 外延

引用

@article{arxiv.cond-mat/0611406,
  title  = {Tunneling anisotropic magnetoresistance and spin-orbit coupling in Fe/GaAs/Au tunnel junctions},
  author = {J. Moser and A. Matos-Abiague and D. Schuh and W. Wegscheider and J. Fabian and D. Weiss},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611406},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. Lett