Fe/GaAs/Fe 隧道结的高场磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
我们研究了被多晶铁膜夹在中间的 6 至 10 nm 薄外延 GaAs(001) 势垒中的输运。除了在低磁场下有显著的隧穿磁阻效应（TMR）外，我们还在低温下观察到明显的负磁阻（MR），在较高温度下观察到正 MR。我们表明，负 MR 贡献仅在铁磁铁触点中被观察到，而如果用铜或金电极替代铁，则不存在负 MR。对负 MR 的可能解释包括自旋翻转散射的抑制或隧穿势垒的 Zeeman 劈裂。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404351,
title = {High-field magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe tunnel junctions},
author = {M. Zenger and J. Moser and W. Wegscheider and D. Weiss and T. Dietl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404351},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 4 figures, submitted to Appl. Phys. Lett