界面态对 Fe/MgO/Fe 隧道结中自旋依赖隧穿的影响
材料科学
2007-08-16 v1
摘要
我们采用第一性原理计算研究了 epitaxial Fe/MgO/Fe(001) 隧道结的电子结构和自旋依赖隧穿。对于小厚度的 MgO 垫层，双界面处的少数自旋共振带对铁磁状态下的隧道电导贡献显著，而在平行磁化状态下，这些能带实际上因无序或小电压而错位。这一现象解释了实验中观察到的薄 MgO 垫层隧道磁阻 (TMR) 降低的原因。我们预测，在 Fe 与 MgO 界面上生长一层单层 Ag 可抑制界面带的隧穿，从而可用于增大薄垫层的 TMR。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505348,
title = {Effect of interface states on spin-dependent tunneling in Fe/MgO/Fe tunnel junctions},
author = {K. D. Belashchenko and J. Velev and E. Y. Tsymbal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505348},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 eps figures (2 in color), revtex4