Fe/ZnSe (001) 单势垒和双势垒结的隧穿磁电阻随界面结构的变化
介观与纳米尺度物理
2008-10-06 v1
摘要
本文计算了通过外延 Fe/ZnSe (001) 单层和双层磁性隧道结的自旋相关弹道相干输运，其中考虑了两种不同的界面终止方式：Zn 终止和 Se 终止。结的电子结构采用参数化自 {\it ab initio} 计算的能带结构的次近邻 {\it spd} 紧束缚哈密顿量进行建模，而电导和隧穿磁电阻则在 Landauer 形式体系内计算。计算在零偏压条件下进行，并作为能量的函数。我们展示并讨论了界面结构对单层和双层隧道结中自旋相关输运的影响。
引用
@article{arxiv.0810.0531,
title = {Tunneling magnetoresistance of Fe/ZnSe (001) single- and double-barrier junctions as a function of interface structure},
author = {J. Peralta-Ramos and A. M. Llois},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.0531},
year = {2008}
}
备注
2006