Fe|ZnSe双结中增强的隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们计算了Fe|ZnSe|Fe|ZnSe|Fe (001)双磁隧道结的隧穿磁电阻(TMR)随中间Fe层厚度的变化，并将这些结果与Fe|ZnSe|Fe简单结的结果进行了比较。电子能带结构通过一个参数化的紧束缚哈密顿量建模，该哈密顿量拟合自{\it ab initio}计算，电导在格林函数表达的Landauer形式论框架内计算。我们发现每个自旋通道的电导和TMR强烈依赖于中间Fe层的厚度，并且在某些情况下，它们相对于简单结有所增强，这与近期对类似系统进行的实验研究定性一致。通过使用一个二维双结作为简化系统，我们表明电导增强可以用结的能谱来解释。这些结果对自旋电子学具有重要意义，因为它们证明了双结中的TMR可以通过改变中间金属层的厚度来调控和增强。
引用
@article{arxiv.0809.0628,
title = {Enhanced tunneling magnetoresistance in Fe$\mid$ZnSe double junctions},
author = {J. Peralta-Ramos and A. M. Llois},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0628},
year = {2009}
}
备注
2006