插入非磁层的磁隧道结中的振荡隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v2 材料科学
摘要
理论上研究了在隧道势垒和铁磁层之间插入非磁层的磁隧道结中，隧穿磁电阻 (TMR) 随间隔层厚度变化的振荡特性。TMR 以解析形式表征，该形式由费米能级处单个界面的透射和反射振幅以及极值波矢量表示。在推导表征 TMR 的表达式时考虑了多能带电子结构，所提出的解析表达式可直接应用于实际结。基于我们的模型，讨论了 TMR 对间隔层厚度依赖性的特征，包括振荡周期的选择定则。利用包络函数理论对几种情况进行了数值计算，结果表明我们的模型与精确结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1206.4130,
title = {Oscillatory tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions with inserted nonmagnetic layer},
author = {Changsik Choi and Byung Chan Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4130},
year = {2015}
}
备注
21 pages (preprint), 6 figures