铁磁 - 绝缘体 - 非磁结中磁场调制的共振隧穿
材料科学
2014-09-11 v2 强关联电子
摘要
我们提出了铁磁 - 绝缘体 - 非磁结中共振隧穿磁阻 (MR) 的理论。该理论阐明了许多近期的电自旋注入实验，表明这种 MR 效应而非非磁通道中的自旋积累对应于电探测信号。我们通过从安德森杂质模型导出的量子速率方程量化了隧穿电流对磁场的依赖关系，并重要地加入了杂质自旋相互作用。考虑到在位库仑关联，MR 效应是由磁场、自旋相互作用以及与磁性引线的耦合之间的竞争引起的。通过扩展该理论，我们为新型纳米尺寸存储器的运行提供了基础。
引用
@article{arxiv.1401.7649,
title = {Magnetic-Field-Modulated Resonant Tunneling in Ferromagnetic-Insulator-Nonmagnetic junctions},
author = {Yang Song and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7649},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 3 figures and 5-page supplemental material, bringing it closest to the published version