顺磁杂质存在下自旋阀结中的共振自旋相关隧穿
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
研究了存在磁杂质（位于势垒中）的F/O/F磁结（F为铁磁层，O为氧化物间隔层）的隧穿磁电阻(TMR)。我们假设磁耦合同时存在于杂质自旋与邻近磁电极体磁化之间，以及杂质自旋与隧穿电子自旋之间。因此，由隧穿电子与自旋S=1的顺磁杂质形成的系统的共振能级为六重态。结果，共振隧穿依赖于隧穿电子自旋的方向。在低温零偏压下，所考虑系统的TMR可能大于不含顺磁杂质的相同结构的TMR。计算表明，温度升高导致TMR幅度减小，这是由于激发自旋翻转过程引起自旋向上和自旋向下通道的混合。还证明杂质在势垒中位置的不对称性可导致杂质辅助电流I(V)特性的不对称，并建立了产生该效应的两种机制。第一种机制源于低电压下自旋翻转过程的激发，第二种机制源于高施加电压下绝缘层中共振能级的移动。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004198,
title = {Resonant Spin-Dependent Tunneling in Spin-Valve Junctions in the Presence of Paramagnetic Impurities},
author = {A. Vedyayev and D. Bagrets and A. Bagrets and B. Dieny},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004198},
year = {2009}
}
备注
20 pages, 6 figures, submitted to Phys.Rev.B