隧道磁阻与界面电子态
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们利用周期 Anderson 模型和线性响应理论，研究隧道磁阻 (TMR) 与由引入于单层磁性隧道结界面磁杂质所修饰的界面电子态之间的关系。结果表明，TMR 比率会因 d 能级位置的变化而显著降低，这是由于在占多数自旋态下，s 电子隧道的自旋依赖性减弱所致。结果与 Cr 掺杂磁性隧道结的实验结果以及类似报道的金属多层膜中巨型磁阻减小的结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203247,
title = {Tunnel magnetoresistance and interfacial electronic state},
author = {J. Inoue and H. Itoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203247},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, 2 column revtex4 format, ICMFS 2002 (Kyoto)