具有嵌入纳米颗粒的磁性隧道结中的隧道磁电阻

在本文中，我们试图对嵌入磁性和非磁性纳米颗粒（NPs）的磁性隧道结进行理论建模。在相关实验中观察到的一些反常隧道磁电阻（TMR）效应，可以在我们的模型中轻松模拟：我们发现，被抑制的TMR幅度以及小电压下的TMR符号反转效应，与位于绝缘层的NP的电子动量态有关。所有这些TMR行为都可以在隧道模型内解释，其中NP被模拟为量子阱（QW）。相干（直接）双势垒隧穿主导了单势垒隧穿。TMR抑制的起源是处于最低QW态之一的自旋极化电子的量子化角度透射率。该现象由于受限几何而被归类为量子化电导机制。