纳米尺度磁性隧道结中的反向隧穿磁电阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们报告了在窄通道中自旋极化输运中反向TMR效应的理论研究。在弱隧穿极限下，我们发现了普通的正TMR。当透射概率接近1时，TMR改变符号。我们的结果可能与具有针孔或量子点接触的磁性隧道结相关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505376,
title = {Inverse Tunneling Magnetoresistance in nanoscale Magnetic Tunnel Junctions},
author = {Tae-Suk Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505376},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures, To be published in Phys. Rev. B (in press)