半导体纳米线中由收缩结构引起的从正磁阻到负磁阻的转变
介观与纳米尺度物理
2016-06-22 v3
摘要
我们研究了沿 [111] 方向生长的锑化铟（InSb）纳米线在施加沿纳米线轴向的外部磁场下的磁输运特性，该纳米线具有几何收缩结构。我们发现，对于狭窄的收缩结构，磁阻为负；对于具有某中间半径的收缩结构，磁阻接近于零；而对于半径接近纳米线半径的收缩结构，磁阻取正值。在纳米线其他几何参数固定的情况下，对于所有磁场强度，发生磁阻符号改变处的收缩结构半径几乎相同。磁阻的符号反转被解释为两个因素的综合效应：收缩结构对横向态的影响以及自旋 Zeeman 效应。
关键词
引用
@article{arxiv.1507.07007,
title = {Transition from positive to negative magnetoresistance induced by a constriction in semiconductor nanowire},
author = {Maciej Wołoszyn and Bartłomiej J. Spisak and Paweł Wójcik and Janusz Adamowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07007},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 5 figures