(In,Mn)As中的负磁阻
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
测量了由金属有机蒸发沉积法生长的In0.95Mn0.05As薄膜的磁输运性质。测量了5至300 K温度范围内的电阻。电阻随温度从90 ohm-cm增大到0.05 ohm-cm。测量了低温磁阻的场依赖性。在17 K以下观察到负磁阻，在5 K时观察到磁阻的滞后现象。磁阻随施加场的变化可用Khosla-Fischer模型描述，该模型用于描述杂质带中载流子的自旋散射。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406230,
title = {Negative Magnetoresistance in (In,Mn)As},
author = {S. J. May and A. J. Blattner and B. W. Wessels},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406230},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures, accepted to Physical Review B