陶瓷锰氧化物中低温电阻率极小值的本质
无序系统与神经网络
2013-07-09 v1
摘要
对 La_{0.5}Pb_{0.5}MnO_{3} 和 La_{0.5}Pb_{0.5}MnO_{3} 陶瓷样品（含 10 at.% 以分散形式存在的 Ag）进行了磁电阻和磁化强度的测量。在零外加磁场下获得的电阻率结果在约 25 K–30 K 的温度处呈现一个浅极小值，该极小值在外加磁场下向低温方向移动，并在某一（相当低的）磁场下消失。同时，在氦温度下的电阻率随外加磁场的施加而降低。结果表明，反铁磁耦合晶粒之间自旋依赖的载流子隧穿模型可以解释所观测到的现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0007363,
title = {A nature of low-temperature resistivity minimum in ceramic manganites},
author = {E. Rozenberg and M. Auslender and I. Felner and G. Gorodetsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007363},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 4 EPS figures, RevTex