单晶 HoBi 的低温磁相变
材料科学
2013-09-05 v1
摘要
我们对剩余电阻比为 126 的高质量 HoBi 单晶进行了电阻率、比热和磁化强度测量。根据磁化强度的温度和场依赖性，我们发现其在 5.7 K 处存在一个反铁磁相变，该相变在磁场作用下演变为一系列多达五个的变磁相。
引用
@article{arxiv.1309.1113,
title = {Low temperature magnetic transitions of single crystal HoBi},
author = {A. Fente and H. Suderow and S. Vieira and N. M. Nemes and M. García-Hernández and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1113},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures