CeBi 单晶的磁化与磁输运测量
强关联电子
2021-11-16 v2
摘要
我们报道了从 Bi 自熔剂中合成 CeBi 单晶,并系统研究了随温度和外加磁场变化的磁性与输运性质。由这些 和 数据,我们构建了 CeBi 的场-温度()相图并可视化了三维 曲面。在相图中,我们识别出具有明确磁化值的区域,并确认了一个新的相区。低温区的磁电阻(MR)在 T 以上呈现幂律、非饱和行为,且具有大 MR(在 K 和 T 时约 ),并伴有 Shubnikov-de Haas 振荡。随温度升高,MR 减小,并在 K 时变为负值。这种 MR 的交叉似乎与任何特定的磁性或变磁性转变无关,而是与从低温下来自 Ce 磁矩散射极少、MR 异常大的正常金属区,转变为随温度升高来自局域 Ce 磁矩散射增强且 MR 为负的区域相关联。
引用
@article{arxiv.1912.08896,
title = {Magnetization and magneto-transport measurements on CeBi single crystals},
author = {Brinda Kuthanazhi and Na Hyun Jo and Li Xiang and Sergey L. Bud'ko and Paul C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.08896},
year = {2021}
}