拓扑半金属 CeBi 中由磁化主导的磁电阻各向异性
材料科学
2019-11-27 v1
摘要
磁性拓扑半金属作为拓扑量子材料的最新成员，因可能带来拓扑驱动的自旋电子学而备受关注。目前对这些材料的磁输运研究集中于反常霍尔效应。在此，我们报道拓扑半金属 CeBi 的磁电阻各向异性，其具有由局域 Ce 4f 电子产生的可调磁结构，并随温度呈现负或正磁电阻。我们发现，负磁电阻的角度依赖，无论其随磁场大小和温度如何大幅变化，都仅由场诱导的、沿主晶轴取向并在旋转磁场作用下翻转的磁化所决定。结果揭示了 CeBi 中传导电子与磁化之间的强相互作用。它们也表明磁电阻各向异性可用于揭示磁性拓扑半金属中的磁行为以及输运现象与磁性之间的关联。
引用
@article{arxiv.1910.05247,
title = {Magnetization governed magnetoresistance anisotropy in topological semimetal CeBi},
author = {Yang-Yang Lyu and Fei Han and Zhi-Li Xiao and Jing Xu and Yong-Lei Wang and Hua-Bing Wang and Jin-Ke Bao and Duck Young Chung and Mingda Li and Ivar Martin and Ulrich Welp and Mercouri G. Kanatzidis and Wai-Kwong Kwok},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.05247},
year = {2019}
}