紧凑三维半导体纳米结构中的强各向异性弹道磁阻
介观与纳米尺度物理
2014-12-10 v2
摘要
我们从理论上证明，在非磁性半导体双层或多层薄膜系统卷曲形成的紧凑准一维纳米结构中，弹道磁阻表现出极强的各向异性：电导强烈依赖于外加磁场的方向。这一现象源于卷曲纳米管的弯曲开放几何结构，它导致穿越费米能级的准一维磁子带数量具有可调性。该现象的实验意义通过显著的各向异性得以阐明，该各向异性与卷绕数的倒数成正比，并持续至某一临界温度；该临界温度可通过增强外加磁场强度或特征曲率半径而显著提高，甚至可达室温。
引用
@article{arxiv.1408.1775,
title = {Strongly anisotropic ballistic magnetoresistance in compact three-dimensional semiconducting nanoarchitectures},
author = {Ching-Hao Chang and Jeroen van den Brink and Carmine Ortix},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1775},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures, one supplemental material