拓扑绝缘体Bi$_2$Se$_3$纳米带中的磁输运效应
介观与纳米尺度物理
2011-12-19 v4 材料科学
摘要
在宽温度范围（=300K-2K）和不同磁场（）方向下，研究了BiSe纳米带的磁电阻（MR）。MR具有强各向异性，垂直MR远大于纵向和横向MR。垂直MR在低场下表现出二次依赖性，在高下变为线性。然而，当升高时，垂直MR在整个磁场范围（0-9T）内直至室温都变为线性。这种不寻常的线性MR在拓扑表面态的线性量子MR背景下进行了讨论。我们还观察到低温下MR中的边界散射效应，这表明面外费米动量远小于面内费米动量，排除了简单的三维费米面图像。
引用
@article{arxiv.1003.6099,
title = {Magneto-transport Effects in Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$ Nanoribbons},
author = {Hao Tang and Dong Liang and Richard L. J. Qiu and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.6099},
year = {2011}
}
备注
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