反铁磁拓扑绝缘体 MnBi2Te4 中的表面诱导线性磁电阻
材料科学
2021-01-04 v1
摘要
通过对反铁磁拓扑绝缘体 MnBi2Te4 (MBT) 厚膜的详尽磁输运研究，在高垂直磁场及至少高达 260 K 的温度下发现了具有二维 (2D) 特征的正线性磁电阻 (LMR)。非线性霍尔效应进一步揭示了 MBT 中除体态外还存在高迁移率表面态。我们将该 2D LMR 归因于 MBT 的高迁移率表面态，从而揭示了厚 MBT 膜中表面态的输运特征。还注意到在 MBT 的尼尔温度附近 LMR 受到抑制，这可能表明由于 MBT 的顺磁-反铁磁相变导致表面态能隙打开。除此之外，无序与量子 LMR 模型在解释所观测到的 LMR 上的失效表明必须引入新物理来理解这一现象。
引用
@article{arxiv.2009.10412,
title = {Surface-induced linear magnetoresistance in antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4},
author = {X. Lei and L. Zhou and Z. Y. Hao and X. Z. Ma and C. Ma and Y. Q. Wang and P. B. Chen and B. C. Ye and L. Wang and F. Ye and J. N. Wang and J. W. Mei and H. T. He},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.10412},
year = {2021}
}
备注
5 figures