TmB4 中二次到线性磁电阻的调控
强关联电子
2019-01-10 v1
摘要
材料电阻（R）对外加磁场（B）的响应变化为表征其电子性质提供了微妙信息，并已在传感和存储相关技术中得到应用。在良金属中，Boltzmann 理论预言磁电阻（MR）在低场下呈二次增长，并在高场下饱和。另一方面，一些具有弱电子关联和低载流子浓度的非磁性金属性材料，如非均匀导体、半金属、窄带隙半导体、拓扑绝缘体和二维电子气（2DEG），表现出正的、非饱和的线性磁电阻（LMR）。然而，在良金属单晶中观测到 LMR 十分罕见。在此，我们给出反铁磁金属 TmB4 单晶中的低温、角度依赖磁输运结果。我们观测到大的、正的且各向异性的 MR(B)，可通过改变外加磁场方向从二次调控为线性。鉴于具有大费米面（FS）的各向同性单晶金属不应呈现 LMR，我们将观测结果归因于 TmB4 的各向异性 FS 拓扑。此外，发现线性 MR 与温度无关，暗示其量子力学起源。
引用
@article{arxiv.1901.02165,
title = {Quadratic to linear magnetoresistance tuning in TmB4},
author = {Sreemanta Mitra and Jeremy Goh Swee Kang and John Shin and Jin Quan Ng and Sai Swaroop Sunku and Tai Kong and Paul C. Canfield and B. Sriram Shastry and Pinaki Sengupta and Christos Panagopoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.02165},
year = {2019}
}
备注
14 pages, 5 figures, Accepted version of PRB