密度波材料低场极限下的线性磁电阻
材料科学
2019-09-04 v1 强关联电子
摘要
材料的磁电阻(MR)通常对反转外加磁场方向不敏感,并在低场极限下随磁场呈二次方变化。量子效应[1]、反常拓扑能带结构[2]以及导致电流路径蜿蜒的不均匀性[3,4]可诱导随磁场增大由二次方到线性磁电阻的 crossover。本文探讨了一系列呈现极大正线性磁电阻的金属性电荷密度波与自旋密度波体系。与其他线性磁电阻机制不同,该效应在低温下直至数十 Oersted 的微小磁场仍保持稳健。我们针对因密度波导致费米面部分能隙化的一大类材料,以半经典叙述框架解释了此现象。
引用
@article{arxiv.1811.02758,
title = {Linear magnetoresistance in the low-field limit in density-wave materials},
author = {Yejun Feng and Yishu Wang and D. M. Silevitch and J. -Q. Yan and Riki Kobayashi and Masato Hedo and Takao Nakama and Yoshichika Ōnuki and A. V. Suslov and B. Mihaila and P. B. Littlewood and T. F. Rosenbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.02758},
year = {2019}
}