二维电子系统中无序诱导的磁阻
介观与纳米尺度物理
2014-08-04 v1
摘要
我们预测并证明了在二维电子系统中，无序诱导的载流子密度不均匀性会导致磁阻（MR）。我们在石墨烯上的实验表明，在远离电荷中性点处仍存在二次磁阻。有效介质计算表明，对于带电杂质无序，低场磁阻是载流子密度与载流子密度涨落之比的普适函数，当该比值较大时呈幂律，这与实验结果高度一致。该磁阻具有普适性，应存在于其他具有大载流子密度不均匀性的材料中。
引用
@article{arxiv.1401.5094,
title = {Disorder induced magnetoresistance in a two dimensional electron system},
author = {Jinglei Ping and Indra Yudhistira and Navneeth Ramakrishnan and Sungjae Cho and Shaffique Adam and Michael S. Fuhrer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5094},
year = {2014}
}