硅中的双极驱动大磁阻效应
材料科学
2013-06-05 v2
摘要
实验观察到在室温及极低磁场下，电子注入的 p 型硅中存在大的线性磁阻 (MR)。这种大的线性磁阻产生于以电子为主导的空间电荷输运机制中，其中电子与空穴密度比的磁场调制控制了磁阻，这一点由硅器件中霍尔系数的磁场依赖性所指示。与单极硅器件中由不均匀性诱导的空间电荷磁阻效应（即大的线性磁阻由不均匀性引起）相反，我们的结果为非磁性半导体中大的线性磁阻机制提供了不同于不均匀性模型的见解。该方法使得均匀半导体能够在低磁场下表现出大的线性磁阻，而此前这种现象仅出现在具有强不均匀性的半导体中。
引用
@article{arxiv.1207.3886,
title = {Bipolar-Driven Large Magnetoresistance in Silicon},
author = {Michael P. Delmo and Eiji Shikoh and Teruya Shinjo and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3886},
year = {2013}
}
备注
23 pages, 4 figures (main text), 6 figures (supplemental material)