商用n型硅中因掺杂不均匀导致的线性磁电阻
材料科学
2013-03-28 v1 无序系统与神经网络
摘要
自由电子理论告诉我们，电阻率与磁场无关。事实上，大多数观测结果符合半经典预测：磁电阻在低场下呈二次方关系，随后趋于饱和。然而，在一些奇特半导体中，如银硫族化物、轻掺杂InSb、N掺杂InAs、MnAs-GaAs复合材料、PrFeAsO和外延石墨烯，已观察到非饱和的线性磁电阻。本文报告了在普通商用n型硅晶圆的欧姆区中观测到的大线性磁电阻。该现象可由施主密度空间涨落的经典模型很好地描述，并可通过改变样品纵横比以增强电流聚束效应来放大：在35 K下，将宽度增加十倍，使8 T下的磁电阻从445%提高到4707%。这一物理图像很可能为近期在n型和p型硅的非欧姆区中观测到的大磁电阻现象提供见解。
引用
@article{arxiv.1105.2174,
title = {Linear magnetoresistance in commercial n-type silicon due to inhomogeneous doping},
author = {Nicholas Porter and Christopher Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2174},
year = {2013}
}
备注
submitted to Nature Materials